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X射線晶體定向儀利可配不同樣品臺(tái)
點(diǎn)擊次數(shù):3663 發(fā)布時(shí)間:2016-04-22
X射線晶體定向儀利X射線衍射原理,精密快速地測(cè)定天然和人造單晶(壓電晶體、光學(xué)晶體、激光晶體、半導(dǎo)體晶體)的切割角度,與切割機(jī)配備可用于上述晶體的定向切割,是精密加工制造晶體器件*的儀器。該儀器廣泛應(yīng)用于晶體材料的研究、加工、制造行業(yè)。
X射線晶體定向儀測(cè)量精度±30″,顯示方式為數(shù)字式,zui小讀數(shù)為10″。
X射線晶體定向儀改進(jìn)測(cè)角儀結(jié)構(gòu),增加了承重軌道,X光管管套,支架體,樣品臺(tái)升高,可測(cè)量1~30公斤,2~8英寸直徑的樣品。角度顯示:數(shù)字方式,測(cè)量精度±30″。
X射線晶體定向儀產(chǎn)品特點(diǎn)
操作簡(jiǎn)便,數(shù)字顯示角度,容易觀察。顯示器可在任一位置調(diào)零,便于顯示晶片角度偏差值。雙測(cè)角儀可同時(shí)工作,提高了效率。具有峰值放大的特殊積分器,提高了檢測(cè)精度。X光管與高壓電纜一體化,增加高壓可靠性,探測(cè)器高壓采用DC高壓模塊,真空吸氣樣品板,提高了測(cè)角精度與速度。
使用條件
◆環(huán)境溫度:2℃~30℃;
◆相對(duì)濕度:不大于70%;
◆供電線路中不得有電焊機(jī),高頻爐等設(shè)備引起的高頻和電弧干擾;
◆電源:?jiǎn)蜗蚪涣?20V,50Hz,電源電壓波動(dòng)不大于10%,電源容量不低于0.5kVA,有良好的接地裝置,接地電阻不大于4Ω。
X射線晶體定向儀可配不同樣品臺(tái):
◆TA型樣品臺(tái)
按圓棒狀晶體所設(shè)計(jì),樣品臺(tái)帶有承重軌道,可測(cè)重1~30公斤,直徑2~6英寸(可增加到8英寸)晶棒,在樣品臺(tái)上加有真空吸氣裝置。該型號(hào)測(cè)角儀可測(cè)量棒狀晶體的參考面,也可測(cè)量片狀晶片的表面。
◆TB型樣品臺(tái)
按圓棒狀晶體所設(shè)計(jì),樣品臺(tái)帶有承重軌道,并加有V型支承導(dǎo)軌,可測(cè)重1~30公斤,直徑2~6英寸(可增加到8英寸),長(zhǎng)度為500mm的晶棒,在樣品臺(tái)上加有真空吸氣裝置,該型號(hào)測(cè)角儀可測(cè)量棒狀晶體的端面,也可測(cè)量片狀晶片的表面。
◆TC型樣品臺(tái)
主要用于硅及藍(lán)寶石等單晶片的外圓參考面的檢測(cè),吸氣盤(pán)上接收X射線的位置采用開(kāi)放式設(shè)計(jì),克服了吸氣盤(pán)遮擋X射線和定位不準(zhǔn)的問(wèn)題,滿足不同規(guī)格晶片參考邊的檢測(cè)。樣品臺(tái)的吸氣泵可把2~8英寸的晶片吸住,使檢測(cè)更加準(zhǔn)確。
◆TD型樣品臺(tái)
主要用于硅和藍(lán)寶石等晶片的多點(diǎn)測(cè)量,晶片可在樣品臺(tái)上手動(dòng)旋轉(zhuǎn),如0°、90°、180°、270°等,可滿足客戶對(duì)晶片的特殊測(cè)量需求。